【ITBEAR科技資訊】7月27日消息，美光公司日前宣布將成為首家推出24Gb DDR5內(nèi)存芯片的企業(yè)。據(jù)悉，該公司計劃在2024年開始量產(chǎn)32Gb DDR5芯片，并推出更大容量的內(nèi)存模塊。
去年，美光成功研發(fā)出24Gb內(nèi)存芯片，采用了1α(1-alpha)工藝技術(shù)。而在接下來的32Gb DDR5芯片制造中，美光將應(yīng)用其最先進(jìn)的1β(1-beta)工藝節(jié)點，以提高生產(chǎn)效率和質(zhì)量。目前，美光尚未透露32Gb芯片的數(shù)據(jù)傳輸速率，但預(yù)計將在數(shù)據(jù)中心級內(nèi)存模塊中得到應(yīng)用。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，32Gb DDR5 DRAM IC主要面向數(shù)據(jù)中心級內(nèi)存模塊，為1TB DDR5模塊(采用32個8-Hi 32Gb堆疊)提供支持。不過，美光公司并未急于將32Gb芯片直接應(yīng)用于最大容量的模塊上，而是計劃在明年推出基于該芯片的128GB DDR5內(nèi)存模塊。未來，他們還計劃推出更大容量的192GB和256GB DDR5模塊，以滿足不同用戶需求。
除了DDR5內(nèi)存，美光還在其路線圖中提及了GDDR7顯存芯片的計劃。預(yù)計在2024年中期，GDDR7顯存芯片將實現(xiàn)批量生產(chǎn)，擁有32 GT/s的高數(shù)據(jù)傳輸速率，顆粒容量可選16Gb和24Gb，將為圖形處理等領(lǐng)域的性能提升提供支持。
此外，美光還向客戶提供了HBM3 Gen 2內(nèi)存樣品。這種內(nèi)存擁有高達(dá)1.2 TB/s的聚合帶寬，同時8個高堆疊容量達(dá)到24GB，將在高性能計算和圖形處理等領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。
