【ITBEAR科技資訊】7月18日消息，根據市場研究機構Hi Investment & Securities的最新報告，三星Foundry在3納米工藝方面取得了良好的進展，良率達到了60%，超過了臺積電的55%。
報道指出，三星Foundry積極發展3納米工藝，不斷提升生產工藝水平和提高良率，目前已經實現了60%的良率，預計在超先進芯片制造技術上能夠超過臺積電。
根據ITBEAR科技資訊了解，報告還指出三星Foundry在4納米工藝方面的良率為75%，略低于臺積電的80%，但通過在3納米工藝上的發力，有望在未來超越臺積電。
報道還提到，由于臺積電的大部分訂單都被蘋果預訂，一些公司如英偉達和高通對三星Foundry的第二代3納米(SF3)工藝表現出了興趣。
此前，三星Foundry在SFF 2023上公布了最新的工藝技術路線圖，計劃在2025年推出2納米級的SF2工藝，并于2027年推出1.4納米級的SF1.4工藝。此外，該公司還公布了SF2工藝的一些特性。
根據Hi Investment & Securities的報告，三星Foundry在3納米工藝上取得的良率突破顯示了其在先進芯片制造領域的實力和競爭優勢。隨著不斷的技術創新和工藝改進，三星Foundry有望在未來獲得更多的市場份額并與臺積電展開激烈的競爭。
