【ITBEAR科技資訊】9月3日消息，三星電子近日宣布成功研發(fā)出全球首款32Gb(4GB)DDR5內(nèi)存芯片，為業(yè)界帶來了一次重大突破。這款內(nèi)存芯片的問世將為計算機技術(shù)和數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域帶來新的可能性。據(jù)悉，該內(nèi)存芯片采用了高度先進的12納米制造工藝，較之于三星1983年發(fā)布的4Kb容量內(nèi)存產(chǎn)品，其容量已經(jīng)實現(xiàn)了超過50萬倍的躍升。
在不久前的5月份，三星剛剛開始量產(chǎn)16Gb(2GB)容量的DDR5內(nèi)存芯片，其傳輸頻率高達7200MT/s，為數(shù)據(jù)傳輸速度提供了強有力的支持。而這次發(fā)布的32Gb DDR5內(nèi)存芯片繼續(xù)延續(xù)了高效的12納米制造工藝，同時在容量上實現(xiàn)了進一步的突破。然而，三星并沒有披露新內(nèi)存芯片的具體傳輸頻率，這或許是為了保留一定的技術(shù)競爭優(yōu)勢。
這款32Gb DDR5內(nèi)存芯片的一大特點是其高密度設(shè)計，為打造更大內(nèi)存容量奠定了堅實基礎(chǔ)。利用這一技術(shù)突破，只需8顆這種芯片，就可以構(gòu)建出一條32GB的內(nèi)存條。更為引人矚目的是，通過采用8-Hi 3DS堆疊技術(shù)，可以將8顆32Gb芯片整合在一起，再在一條內(nèi)存上安裝32顆，從而實現(xiàn)驚人的1TB內(nèi)存容量。這對于數(shù)據(jù)中心、科學(xué)計算等大內(nèi)存需求場景來說，將是一項重要的技術(shù)突破。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，三星計劃在年底開始量產(chǎn)這款32Gb DDR5內(nèi)存芯片，這將進一步推動DDR5內(nèi)存技術(shù)在市場中的應(yīng)用和發(fā)展。此舉不僅有助于提升計算機系統(tǒng)的性能，也為應(yīng)對不斷增長的數(shù)據(jù)處理需求提供了有力支持。未來，在支持12通道內(nèi)存的服務(wù)器平臺上，如AMD EPYC 9004，將有可能實現(xiàn)高達12TB的單路系統(tǒng)內(nèi)存容量，這將為數(shù)據(jù)處理和應(yīng)用開發(fā)帶來更加廣闊的前景。
