【ITBEAR科技資訊】9月1日消息，三星電子在今日宣布取得重大突破，成功開(kāi)發(fā)出基于12納米(nm)級(jí)工藝技術(shù)的32Gb DDR5 DRAM內(nèi)存模組，為未來(lái)的數(shù)據(jù)處理和存儲(chǔ)領(lǐng)域注入了新的活力。這項(xiàng)突破性技術(shù)將有望滿(mǎn)足不斷增長(zhǎng)的人工智能和大數(shù)據(jù)應(yīng)用對(duì)高容量DRAM內(nèi)存的需求。
這款新型32Gb DDR5 DRAM內(nèi)存模組的問(wèn)世，不僅意味著容量的大幅提升，還體現(xiàn)在更為高效的能源利用上。通過(guò)新開(kāi)發(fā)的32Gb內(nèi)存顆粒，即使在不使用硅通孔(TSV)工藝的情況下，也能夠生產(chǎn)出128GB內(nèi)存模組。與過(guò)去基于16Gb內(nèi)存顆粒的128GB內(nèi)存模組相比，新產(chǎn)品的功耗降低了約10%。這一技術(shù)進(jìn)步使得新內(nèi)存模組成為數(shù)據(jù)中心等高度關(guān)注能效的企業(yè)的首選解決方案。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，三星電子存儲(chǔ)器事業(yè)部?jī)?nèi)存開(kāi)發(fā)組執(zhí)行副總裁SangJoon Hwang表示，基于12納米級(jí)32Gb DDR5 DRAM內(nèi)存模組的基礎(chǔ)，三星還將繼續(xù)拓展其大容量?jī)?nèi)存產(chǎn)品陣容，以滿(mǎn)足高性能計(jì)算和IT行業(yè)不斷增長(zhǎng)的需求。三星將以這一技術(shù)為基石，為數(shù)據(jù)中心、人工智能和下一代計(jì)算等領(lǐng)域的客戶(hù)提供更為強(qiáng)大的12納米級(jí)32Gb內(nèi)存解決方案，進(jìn)一步鞏固其在未來(lái)內(nèi)存市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。
這款創(chuàng)新的12納米級(jí)32Gb DDR5 DRAM內(nèi)存模組預(yù)計(jì)將在今年年底開(kāi)始量產(chǎn)，為行業(yè)帶來(lái)更大的潛力和發(fā)展機(jī)會(huì)。三星電子將繼續(xù)與其他核心行業(yè)伙伴保持緊密合作，共同推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新的發(fā)展，為數(shù)字化時(shí)代的需求提供有力支持。
