【ITBEAR科技資訊】10月19日消息，三星，作為全球最大的NAND閃存供應商之一，近日披露了其龐大的V-NAND(或稱3D NAND)發展計劃的新信息。該公司正式宣布，他們正在如期制造第九代V-NAND閃存，擁有超過300層的結構，這將成為全行業最高層數的3D NAND產品。
三星電子總裁兼存儲器事業部負責人李政培在一篇博客文章中寫道：“第九代V-NAND采用雙層結構，層數達到業界最高水平，預計明年初將投入批量生產。”
早在8月份就有關于三星研發第九代V-NAND擁有超過300層結構的消息，而且繼續采用了三星在2020年首次使用的雙層技術。三星如今明確表示，他們的3D NAND有效層數將超越競爭對手，而目前已知SK海力士的下一代3D NAND將具有321層，因此三星的第九代V-NAND層數應會更多。
增加層數將有助于提高三星3D NAND設備的存儲密度。該公司預測未來的閃存類型將不僅提高存儲密度，還將提高性能。
李政培表示：“三星正在研究下一代具有創新價值的技術，包括一種新的結構，可以最大化V-NAND的輸入/輸出(I/O)速度。”
目前，尚不清楚三星的第九代V-NAND在性能方面將表現如何，但有理由相信，該公司將利用這種存儲器來生產即將推出的固態硬盤，可能會采用PCIe Gen5接口。
至于更長期的技術創新，三星正在努力將單元干擾最小化，減小尺寸，以最大化垂直層數，這將對實現擁有超過1000層的3D NAND以及高度差異化的存儲解決方案產生關鍵影響。
